技术编号:3411658
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。本发明特别是涉及适合于金属钌和含有钌作为主成分的钌合金的蚀刻用途的组合物及其配制方法。背景技术近年来,作为半导体器件中的阻挡金属(barrier metal),已经研究了钌的使用。这是因为钌显示阻挡性,而且在配线金属使用铜的情况下显示良好的附着性,即使被氧化也保持导电性。另外,钌作为DRAM(动态随机存取存储器;Dynamic Random Access Memory)等的电容器用的电极材料、用于使磁性体元件的磁化方向稳定化的材料受到关注。采用...
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