技术编号：3411943
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造设备中的气路正压系统，特别涉及一种用于化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)抛光头的气路正压系统。背景技术当前，CMP是半导体制造工艺中晶圆全局平坦化最有效的技术。在CMP抛铜领域 中，抛光头夹持硅片将待抛铜层表面压向旋转的抛光盘，通过抛光盘上的抛光垫摩擦以及 抛光液腐蚀实现有效快速的铜层移除。其中，抛光头可以通过控制硅片背面各环形区腔室 压力实现对硅片抛光压力的全局动态调节。抛光头内部腔...
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