技术编号:34120304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开总体上涉及一种沉积器件。更确切地说,本公开涉及一种高电子迁移率晶体管氮基半导体器件的化学气相沉积器件。背景技术.近年来,对高电子迁移率晶体管(hemt)的半导体器件的深入研究已经很普遍,例如对于高功率开关和高频应用。hemt利用两种不同带隙材料之间的异质结界面形成量子阱状结构,用于容纳二维电子气(deg)区,满足高功率/高频率装置的需求。除了hemt之外,具有异质结构的装置的实例进一步包含异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂的fet(modfet)。...
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