技术编号:3412195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,特别涉及。 背景技术半导体集成电路(CMOS)工艺和微机电(MEMS)系统工艺中都涉及到大量的镀膜工 艺,使用的方法有溅射、电子束蒸发、热蒸发、化学气相沉积等方法。通常在镀膜之后的晶圆上还需要制备各种图形。常用的方法有两种,刻蚀和剥离。 这两种方法的工艺顺序一般如下所示刻蚀方法的工艺顺序1.在晶圆上镀膜在晶圆的整个表面上用溅射、电子束蒸发、热蒸发、化学气相沉积等 方法镀上一层薄膜;2.旋涂一层光刻胶将光刻胶置于镀膜的晶圆表面上,旋...
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