技术编号:3412201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于如化学汽相沉积的反应气体相加工的系统。 背景技术化学汽相沉积(“CVD”)反应器允许处理安装在反应室内部的晶片承载器上的基片(例如,晶片)。面朝所述晶片承载器安装被称为气体分配喷射器或喷射器头部的部件。所述喷射器典型地包括多个向用于化学汽相沉积的该室供应某些气体的组合的气体进口。一些气体分配喷射器提供隔层或运载气体,其协助在化学汽相沉积过程期间供应层流气流,其中所述运载气体典型地不会参与化学汽相沉积。许多气体分配喷射器具有莲蓬头结构,该莲蓬头...
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