技术编号:3412204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米材料的制备方法,具体是指一种硫化镉米线的制备方法。 背景技术硫化镉(CdS)是一种直接带隙半导体(带宽2. 4eV),已被广泛应用于光电领域。 而CdS纳米线由于尺寸小,比表面大,量子尺寸效应显著,这使得纳米体系的光,热,电等物 理特性与常规的块体材料不同,出现许多新奇特性。研究表明,CdS纳米线在纳米发电机, 太阳能电池,场效应管,纳米激光器以及纳米光导器件领域具有广泛的应用前景。目前制备 CdS纳米线的方法主要分为液相法和气相法。液相...
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