技术编号:3412258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及在衬底处理腔中用于衬底支架的环组件。 背景技术在处理诸如半导体晶片和显示器件的衬底的过程中,将衬底放置在处理腔中并暴露于高能气体以在衬底上沉积或刻蚀材料。典型的处理腔包含多个腔室部件,其包括包围处理区的围壁、用于提供在腔室内气体的气源、对处理气体施加能量以处理衬底的气体激发器、衬底支架以及排气口。例如,处理腔可包括溅射或物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积 (CVD)和刻蚀腔。在PVD腔中,溅射靶材以促使靶材料沉积在面对靶材的衬底上。在CVD腔...
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