原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法技术资料下载

技术编号:3412385

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本发明涉及的是一种光电材料的透明导电薄膜的制备方法,具体是一种 。背景技术近年来,透明导电氧化物(TCO)作为电极材料在光电器件领域得到了广泛应用, 包括太阳能电池、平板显示、有机发光二极管(OLEDs)等。铟锡氧化物(ITO)由于其高电导 率、高可见光透过率而成为最常用的TCO材料。然而,由于铟稀缺导致ITO价格昂贵,ZnO基 透明导电薄膜因其优异的光电学性能及无毒价廉等一系列优势成为人们研究的热点。非掺 杂纯ZnO作为透明电极电阻率偏高且在高温下不稳定...
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