技术编号:3412419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体薄膜材料,涉及一种高质量、低电阻率、具有内禀铁磁性的稀土金属离子掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法。背景技术随着科学技术的发展,人类迈进了高度电子化、信息化的社会。信息的处理、存储和传输将要求空前的规模和速度。在半导体产业中,以Si材料作为主导的半导体器件已经发展了半个多世纪,随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,单个晶体管的加工工艺逐渐达到了物理和技术的双重极限。如何实现上述电子信息技术的飞跃,已成为本世纪初面临的重大科学问题之一。电子的电...
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