技术编号:3412718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子蚀刻设备所具备的气体注入系统,尤其是涉及如下的用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统,使调解气体近距离喷射到晶圆(wafer)的边缘部(edge),从而使使用者能够精确地控制蚀刻率(etch rate)或CD (Critical Dimension)均勻度或轮廓,通过均勻地形成晶圆整体的⑶(Critical Dimension)和轮廓,能够提高蚀刻均勻度 (Etching Uniformity)从而最小化工程不良。背景技术通常,用于半导体集成电路组...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。