技术编号:3413317
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米材料制备,特别是一种用水浴加热来控制硅纳米线生长长度的方法。背景技术在最近的几十年里,低维纳米结构材料的制备、表征和应用已经引起人们极大关注,而硅纳米线材料更是因为具有与传统集成电路工艺的兼容性以及相比体硅材料所显现出特有的量子限制效应、量子隧穿效应、库伦阻塞效应、高表面活性等独特的光学和电学特性,成为制备微纳电子器件最理想的材料之一,是当前纳米的研究热点问题。用一维硅纳米线制备电子器件时,硅纳米线的长宽比是决定器件的集成度、器件性能等的重要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。