技术编号:3413318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜生长的装置和方法,尤其涉及一种薄膜生长反应装置、薄膜生长方法及清洁该装置内的气体输送装置的方法。背景技术作为一种典型的第III族元素和第V族元素化合物薄膜,氮化镓(GaN)是一种广泛应用于制造蓝光、紫光和白光二极管、紫外线探测器和高功率微波晶体管的材料。由于 GaN在制造适用于大量用途的低能耗装置(如,LED)中具有实际和潜在的用途,GaN薄膜的生长受到极大的关注。GaN薄膜能以多种不同的方式生长,包括分子束外延(MBE)法、氢化物气相外延 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。