技术编号:3413458
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及P型ZnMgO晶体薄膜的生长方法,尤其是Ag掺杂生长ρ型ZnMgO晶体薄膜的方法。背景技术ZnO是一种II - VI族宽禁带半导体,有其独特的优势,在室温下的禁带宽度为3. 37 eV,自由激子结合能高达60 meV,远大于GaN的激子结合能25 meV和室温热离化能沈 meV,因此更容易在室温或更高温度下实现激子增益,是一种很有潜力实现高功率半导体激光器件的材料。但是,ZnO走向光电器件应用的关键是实现稳定可靠且低阻的ρ型ZnO薄膜。SiO由于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。