技术编号:3413543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于场效应晶体管,具体涉及石墨烯场效应晶体管的制备方法。 背景技术随着摩尔(Moore)定律的不断延展与纵深,使得硅基集成电路的器件尺寸离物理极限越来越近,国际半导体工艺界纷纷提出超越硅(Beyond Silicon)技术,其中,石墨烯被认为是最有希望替代硅的材料。石墨烯(Graphene)是一种单层蜂窝晶体点阵上的碳原子组成的二维晶体,单层石墨的厚度约为0.35纳米。图1所示为石墨烯的基本结构示意图。当前,十层以下的石墨均被看作为石墨烯。由于石墨烯...
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