技术编号:3413603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。背景技术CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。CVD制作过程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下,在一定工艺温度下,在基底表面发生化学反应和/或化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中伴随地产生不同的副产品大多会会随着气流被带着,不会留在腔室中。根据不同的分类方法,CVD可以分为多种类型。例如,...
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