技术编号:3413613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种腐蚀半导体材料GaAs/AlGaAs的腐蚀方法,属于半导体器件制造。背景技术 现有的采用湿法腐蚀制作半导体器件的方法所使用的腐蚀液主要包括硫酸系列和磷酸系列,前者如H2SO4∶H2O2∶H2O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1的腐蚀液,为典型的各向异性腐蚀液,用于脊型波导器件制造;后者如H3PO4∶H2O2∶H2O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液,也具有明显的各向异性腐蚀特性。通常采用这些腐蚀液腐蚀GaAs/AlGaAs晶体,...
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