技术编号：34137081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种六方氮化硼异质结构的制备方法。背景技术.六方氮化硼、金刚石均属于超宽禁带半导体，相比于氮化镓、碳化硅，二者具有更大的禁带宽度，有着更高的击穿场强，在大功率、高效率电力电子器件领域有着较为突出的应用前景。此外，在短波长光电器件方面也有很明显的优势。.六方氮化硼是一种层状材料，层内硼、氮原子通过sp杂化形成共价键组成蜂窝状结构，层间有范德华力作用，硼原子与相邻原子层中的氮原子对应，形成a-a’堆叠。与同为层状材料的石墨具有相似的性质，如极高的面...
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