技术编号:3414046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种等离子体辅助式化学气相沉积装置,尤其指一种具有可缩短射频回流路径的连接装置的等离子体辅助式化学气相沉积装置。背景技术于半导体、平面显示器以及太阳能等产业中,等离子体辅助式化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)是一常见应用于成膜方面的技术。一般的等离子体辅助式化学气相沉积装置是利用两电极板以及一射频来源,于一制备腔室内产生等离子体辅助式化学气相沉积反应,以于一基板上产生...
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