调节金属研磨速率并改善研磨过程中产生的缺陷的方法技术资料下载

技术编号:3414129

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本发明涉及一种半导体金属研磨技术,尤其涉及一种。背景技术晶圆制造中,随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小,光刻(Lithography) 技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高,IBM公司于1985年发展 CMOS产品引入,并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后,CMP技术得到了快速发展,大量应用于半导体产业。以目前先进工艺所必需的铜研磨为例,其研磨机理主要是根据铜在研磨液中的氧化反应1.铜在研...
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