技术编号:3414415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体微电子设计制作方法,尤其是。背景技术η型或非故意掺杂的GaN和AlGaN材料上的欧姆接触的形成是一个复杂的过程,涉及到各种各样的固态反应,利用物理学、冶金学和化学的相关知识,设计包含多层金属的金属化系统,经加热金属化系统可能产生合金化或固相再生长,从而形成“金属一GaN 层(AWaN层)一半导体”的欧姆接触。GaN或AlGaN上合金欧姆接触的形成需要满足一些基本设计要求。首先是势垒层 ,该层选择金属的原则是能形成低阻、低功函数、薄的和热...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。