技术编号:3414766
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电材料,涉及一种用磁控溅射(RF magnetron sputtering)设备制备MgZnO合金半导体薄膜的一种方法。 背景技术近年来,人们越来越多地关注紫外光的辐射与测量,从而紫外探测技术和 器件的需求日益增长。紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的 又一军民两用光电探测技术。在民用方面,它己被应用于医学、生物学、气体 探测与分析、火焰传感及日光浴的紫外光照度监测等领域。目前,己投入商用 的紫外探测器主要有紫外真空二极管、紫...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。