技术编号:3415375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于对半导体晶圆等被处理体实施氧化硅膜的成膜处理的成膜方法及成膜装置。背景技术一般来说,为了制造半导体集成电路,对由硅基板等构成的半导体晶圆进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改性处理等各种热处理。这些热处理由逐张对晶圆进行处理的、所谓的单片式的处理装置或同时对多张晶圆进行处理的、所谓的分批式的处理装置进行。由于氧化硅膜被较多地用作半导体集成电路中的晶体管元件的栅绝缘膜、电容器或不挥发性的浮动栅的绝缘膜、层间绝缘膜等,因此,在上述各种热处...
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