技术编号:3416206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备。背景技术随着等离子体(Plasma)技术的不断发展,等离子体装置已经被广泛地应用于制造集成电路(IC)或光伏(PV)产品的制造工艺中。光伏产品制造过程中用到的平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备根据成膜方式的不同主要分为直接法和间接法两种,这两种设备都是通过平板式载板载置硅片。其中,间接法的载板不接地,只起到传输作用,电极板接高频或者微波,离子放电 空间中就结合成减反膜并由扩散作用沉积在硅片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。