技术编号:3416542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及化学机械抛光工艺中的化学机械抛光设备、化学机械抛光终点检测装置和终点检测方法。背景技术化学机械抛光(CMP)工艺是一种平坦化工艺,在1990年被引入集成电路制造工艺以来,经过不断实践和发展,已成为推动集成电路技术节点不断缩小的关键工艺。目前CMP已经广泛应用在浅沟槽隔离结构平坦化,栅电极平坦化,钨塞平坦化,铜互连平坦化等工艺中。CMP工艺也被应用于抛光基底表面上的其他薄膜层。 图I示出了现有技术的一种CMP设备的剖面结构示意图,图...
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