技术编号:3417147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种用以形成半导体材料的方法和系统,且特别是有关于一种用以形成半导体材料的反应系统(reaction system)和其相关方法。虽然本发明以应用于形成第三族氮化物材料(Group-Ill nitride materials)为例,但应了解本发明具有更广泛的应用性。背景技术有机金属化学气相沉积(Metal-OrganicChemical Vapor Deposition, MOCVD)己广泛地应用于制作具第三族氮化物材料(例如氮化招(alum...
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