技术编号：3417331
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体增强化学气相沉积设备，特别是涉及一种电极引入装置。 背景技术四管卧式等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)设备的功能是，在高真空石英腔体内利用高频电场激发，分解工艺气体 SiH4, NH3,在样品表面的沉积形成Si3N4薄膜。淀积Si3N4时，不光是生长Si3N4作为减反射膜，同时生成了大量的氢原子，这些氢原子不但具有表面钝化作用，同时可以很好的钝化硅中的...
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