技术编号:3417797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明与化学机械抛光的领域有关。尤其本发明是关于铜和阻障层两者之整合抛光方法和设备。背景技术传统的半导体元件一般包括半导体基板(通常是硅基板)以及多个依序形成的介电中介层(例如二氧化硅)和导电材料做的导电路径或交互连结。因为铜和铜合金具有优异电子迁移性和低电阻特性,它们最近在作为交互连结的导体方面受到相当程度的注意。交互连结通常是以金属化的过程将铜填入蚀刻于介电中介层里的特征部份或空穴而形成。铜金属化过程的优选方法是电镀。在集成电路中,多层次的交互连结网路...
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