技术编号：3418030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明申请是申请日为2007年5月23日、申请号为200710104246.3、发明名称为“”的发明申请的分案申请。背景技术在半导体装置的制造中，化学惰性介电材料例如氧化硅的薄被动层是必需的。氧化硅薄层在多晶硅和金属层之间发挥绝缘体、扩散屏蔽、氧化屏障、沟槽分离、具有高介电击穿电压的金属间介电材料和钝化层的作用。下列文献和专利被引用作为电子学工业制备氧化硅薄膜所采用的合成沉积方法。US5，250，473公开了一种通过低压化学气相淀积(LPCVD)以改进的沉...
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