技术编号：3418283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种对衬底进行抛光和平面化的系统、设备和方法，尤其涉及一种化学机械平面化或抛光(CMP)设备和方法。背景技术 化学机械平面化或抛光通常称为CMP，它是一种对半导体和其他类型的衬底进行平面化或抛光的方法。在一定的加工步骤之间对半导体衬底或晶片的表面进行平面化可使得更多的电路层竖直地构建在器件上。随着特征尺寸的减小、密度的增加以及半导体晶片尺寸的增大，CMP过程的要求变得愈加严格。以低成本制造半导体为出发点，晶片之间的加工均匀度以及晶片整个表面的平面...
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