技术编号:3418346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的第 一方面涉及一种薄膜形成技术,特别是涉及低温形成金属 阻障膜的技术。本发明的第二方面涉及一种半导体装置中的金属膜的成膜方法,特别 是涉及一种在金属表面或者Si表面上形成金属膜之前的清洗技术。背景技术(第一方面)为了在半导^#底表面上形成薄膜,通常使用CVD (Chemical Vapor Deposition)装置或者濺射(Sputtering)装置0以等离子体CVD法为例-沈明传统的薄膜制造方法时,图15中的符号 101表示传统的CVD装置。参...
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