技术编号:3418454
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此描述的实施例涉及一种用于清洁处理腔室的方法和装置。 背景技术在化学气相沉积(CVD)工艺期间,反应气体能形成沉积于腔室的内表面 上的化合物。随着这些沉积物累积,残余物能够剥落并污染后续处理步骤。该 残余物沉积还能够对诸如沉积均匀、沉积速度、膜强度等其它处理情况有不利 影响。因此,通常对处理腔室进行周期性清洁以去除残余物质。典型地,在腔室 中执行每个工艺之后或者数个工艺之后使用蚀刻气体来清洁腔室。在较长的时 段后,通常在已处理约1,000—2,000个晶...
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