技术编号:3418973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。该发明的实施例一般涉及用于在衬底上化学气相沉积(CVD)的装置和方法, 并且尤其涉及供金属有机化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)里使用 的喷头设计。背景技术发现ni—V族膜在各种半导体器件例如短波长发光二极管(LED)、激光 二极管(LD)和包括高功耗、高频率、高温晶体管和集成电路的电子装置的 研制和制造中较为重要。例如,使用III族一氮化物半导体材料氮化镓(GaN) 制造短波长(例如,蓝/绿至紫外)LED。已经注意到,使用GaN制造短波长 LE...
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