技术编号：3418978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及用于制造半导体器件的形成氧化硅膜的方法，尤其涉及通 过来自乙硅烷前体的远程等离子体CVD的高质量氧化硅膜。背景技术诸如浅沟槽隔离结构(STI)的间隙和沟槽通常被用于对半导体器件上的 元件进行电隔离。STI可包括形成在半导体基板隔离区域中的沟槽或间隙，用 介电材料对其进行填充以防止附近器件结构(例如晶体管、二极管等)的电耦 合。随着集成电路上的器件密度持续增加，在器件结构之间的尺寸和距离也持 续降低。但是，STI沟槽的垂直高度通常不会与其水平宽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。