技术编号:3419332
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于表面工程。背景技术氧化锌是一种纤锌矿结构的直接带隙的宽带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能高达60meV。采用薄膜制备方法制备的氧化 锌薄膜具有多种优良的物理性能,化学稳定性好,材料来源丰富,价格 低廉,无毒,易掺杂,在许多方面都有较大的应用潜力,例如变阻器, 压电传感器,光学波导,表面超声波装置,气体传感器以及太阳能电池等o氧化锌薄膜的性能与镀制工艺和镀制条件有着密切的关系。目前,传统的镀制方法是用脉冲激光沉积(PLD)和...
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