技术编号：3419749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁性薄膜领域，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性 磁电阻坡莫合金薄膜的制备。 背景技术各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance， AMR)薄膜材料可用作测量磁 场的磁传感器。和其它磁场传感器如霍尔器件、半导体磁敏电阻相比，AMR传感器 具有灵敏度高、体积小、可靠性高、温度特性好、工作频率高、耐恶劣环境能力强、 以及易于与数字电路匹配等优点。它不仅可以应用于信息处理领域，同时在自动控 制、航空航天、导航、...
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