技术编号:3420205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体加工,特别涉及一种等离子体加工设备和 方法。背景技术薄膜沉积技术依据其反应机制,可分为物理气相沉积(Physical vapor deposition)和化学气相沉积(Chemical vapor deposition)两类。化学气相沉积是 经由化学反应在衬底表面生长薄膜的方法。目前应用比较普遍的化学气相沉 积方式包括大气压化学气相沉积(Atmosphere pressure chemical vapor deposition, APCV...
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