技术编号：34204644
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。背景技术.sic mosfet(sic metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管)具有低导通电阻、开关速度快、耐高温等特点，在高压变频、新能源汽车、轨道交通等领域具有巨大的应用优势。为提高sic mosfet电流能力，常通过压缩元胞的尺寸来增大通流面积，提高通流能力。在不断地压缩元胞尺寸时，源极孔接触面积也随...
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