技术编号:3421643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。所属领域本发明涉及半导体新型材料领域,是用化学气相沉积技术生产的新型材料---热解氮化硼(PBN)涂层基座。该涂层基座成功的应用于MOCVD生长技术制备GaN及其相关化合物半导体材料。热解氮化硼材料是用化学气相沉积工艺制备的,该材料无毒、无孔隙、易加工、高纯度、气密性好,有良好的导热性和高温化学稳定性,与III-V族化合物半导体材料不反应,抗NH3气的腐蚀性极佳。图中序号及名称1密闭容器,2、待涂层石墨基座,3、石墨发热体、4、铜感应线圈、5、BCI3管道...
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