技术编号:3422482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于真空镀膜设备特别是提供了一种霍尔型离子辅助蒸发源背景技术传统蒸发镀膜装置是在真空条件下用电阻或电子束将膜料加热至蒸发温度,使其蒸发并沉积在基片上形成薄膜以达到镀膜的目的。由于被蒸发膜料原子的能量低,所镀膜层的附着力差、密度低,薄膜的性质受环境影响大、易脱落、不稳定。此外,电子束蒸发时,电子枪的栅极电压为6000-10000V,容易引起高压放电打火,影响薄膜的质量。为了减低蒸发源的工作电压,避免电子枪高压放电打火,Joseph D.Zeren等发明...
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