技术编号：3423068
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体制程设备，特别涉及一种低压化学气相淀积系统。背景技术在现有半导体芯片制造工艺中，化学气相淀积(CVD)已成为非常流行的 工艺，并对宽范围材料而言是优选的淀积方法。一般来说，化学气相淀积过程包括首先，将晶圆片装载到反应室内，装 载过程通常是在惰性气体的环境下进行的。然后将晶圆片加热到预定的温度， 将反应气体引入到淀积薄膜的反应室内进行反应。最后，将参与反应的化学气 体排出反应室，移出晶圆片，完成工序。CVD系统主要分为两种类型常压(A...
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