技术编号：34239986
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法。背景技术.储能电容器在脉冲功率电源、新能源汽车逆变器、嵌入式电容器等方面具有广阔的应用，高储能密度的介电材料可以满足对电容材料的需求。由于锆钛酸铅(简称pzt)铁电薄膜是abo型钙钛矿相化合物，当化学组成在准同型相界附近时，具有良好的介电、铁电和压电性能，目前已经广泛应用于储能电容器的介电材料。.现有制备pzt薄膜的方法包括激光脉冲沉淀法、磁控溅射法、金属有机化学气相沉积法、化学溶液沉积法、溶胶-凝胶法等；其中，磁控溅射法具有成膜表面均匀...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。