技术编号:3424609
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种应用于预溅镀制程的方法,特别是指一种可以。背景技术 溅镀(SPutter)为一种用来形成金属薄膜沉积的半导体制程方法,其主要原理是将电浆离子通入溅镀机的反应室中,再以离子加速方式对溅镀靶(Target)进行轰击,以造成溅镀靶表面(正面)靶材原子掉落,并在基板表面形成一层金属薄膜沉积。请参阅图1所示,其是为磁控式摇摆扫瞄型溅镀机10示意图;包括一反应室11、一溅镀靶20、一基座13以及一长形磁铁14,其中反应室11是利用真空泵(图中未示出)...
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