技术编号:3424892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地,涉及用于这样的装置的导电通路。背景技术如果籽晶层中存在微空隙或完全空隙,但底层扩散阻隔材料是导电的,则在电镀敷 过程中,某些区域(即被籽晶涂覆的区域)将被镀敷,而其他区域不被镀敷。结果被镀敷 区域包围未被镀敷区域。例如,由附图说明图1可见,籽晶被沉积在通孔的最底部的位置处(因为 他们面对通孔顶部的开口,但是在最靠近底部的通孔的侧上没有籽晶)。结果,在电镀敷 之后,在通孔的底部和侧上更高处、但不在靠近通孔底部的侧上,存在发生电镀的...
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