技术编号:3424929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明 一般涉及,更具体而言涉及对半导体材料(例如"磷化铟"(InP)、"砷化镓"(GaAs)、"氮化镓"(GaN) 和"磷化镓"(GaP))、半导体晶锭、半导体衬底晶片和外延生长的半导 体层及其他结构的低温处理,该处理用作消除所述材料和结构的位错缺 陷和其他缺陷的手段。背景技术本发明一般涉及目前用于减少在大单晶中形成的缺陷的数目的方 法,更特别涉及用于生长无缺陷的III-V族的半导体化合物的大单晶的方 法。近年,半导体技术中最为重要的发展之一是化合物半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。