技术编号:3425543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二次抽真空条件下制作薄膜半导体的技术,涉及一种在二次抽真空条件下分别制作介质膜和半导体层工艺方法的改进。已有技术在两个系统亦即二次抽真空条件下分别制作介质膜和半导体层是比效适宜于生产的工艺。这样,可以任选所需尺寸和形状的掩模来形成图形,并且可以采用不同的成膜方法。但是,样品在两个系统的转移过程中,首先形成的介质膜表面难免受到系统外的环境污染,这种污染在二次半导体蒸镀之前难以予以彻底清除,给介质膜与半导体的界面上留下的杂质和缺陷,在沟道区形成复杂的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。