技术编号：3425667
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有微填料的阻尼聚氨酯CMP垫片本发明的背景化学机械平面化，也已知为化学机械抛光或CMP，是在后续步骤的制备中或为了根 据其位置有选择地除去材料，用于将加工过程中的半导体晶片或其它基材的顶面进行平面 化的一种技术。该技术采用淤浆，该淤浆与抛光垫片(polishing pad)相结合具有腐蚀和 磨蚀性能。尽管许多现有的CMP垫片是无孔的，但是多孔抛光垫片一般提供改进的淤浆传输 和局部化的淤浆接触。制造高密度泡沫体抛光垫片的一种技术包括使用表面活性剂将液态聚合...
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