技术编号:3425689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及反应溅射方法及设备,并且更具体地涉及用于建立合适的溅射 速率并且使在靶与阳极或者设备的其他部分之间所经历的电孤放电最少的方法及设备。背景技术反应磁控溅射通常被用于从金属靶制造氮化物或者氧化物层。其中反应电磁管 溅射可以被采用的应用的例子包括用于磨损保护目的的硬涂层的制造;用于滤波的光 涂层和减反射涂层的制造;以及电子产业中的扩散势垒层及绝缘层的制造。然而,根据 常规的溅射沉积工艺所产生的这样的层常常包括对于在其中所述层要被采用的特定应用 不是...
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