技术编号:3425802
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于透明导电氧化物薄膜的ZnAI靶材的制备技术。 背景技术透明导电氧化物(Transparent conductive oxide,简称TC0)薄膜具有可见光 谱区透过率高和导电性能优越的特征,在平面液晶显示器、场致发射显示器、电致发光显 示器、阳光控制膜和薄膜太阳能电池透明电极等领域得到广泛的应用。TCO薄膜主要包括 In、 Sn、 Zn和Cd等的氧化物及其掺杂或复合的多元氧化物薄膜材料,如ln203、 Sn02、 Zn0、 IT0(In2...
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