技术编号:3425816
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料制备工艺领域,更进一步涉及一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺。在现有技术中硫化亚铜薄制备有以下几种方法①湿法制备硫化亚铜薄膜其一种工艺为以金属为衬底,在金属表面上形成CdS层,然后将其浸入具有一定浓度的硫酸铜(含有铜离子的酸性溶液)中,通过烘干,在表面层形成Cu2S薄膜,此方法主要用于制备Cu2S/CdS薄膜太阳光电池方面)。②热蒸发方法将Cu2S粉末放入坩埚中,通过将坩埚加热,将其蒸发,在衬底材料上形成Cu2S薄膜。现有方法所制备的C...
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