技术编号:3426565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法及专用装 置,属于太阳能硅片损伤层厚度和少数载流子寿命(以下简称少子寿命)测量 技术。 背景技术太阳能电池硅片损伤层包含机械损伤层和工艺损伤层,机械损伤层是从硅 棒上切割下硅片时线锯的机械力导致的表面晶格损伤, 一般机械损伤层的厚度约为20微米;工艺损伤层是硼扩散、氧化、PECVD引起的表面晶格损伤,工艺 损伤层的厚度约为0. 5 20微米。太阳能电池硅片的非平衡载流子寿命是表征材料质量的重要参数之一...
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